DS18B20

DS18B20时序详解

初始化时序：

DS18B20的所有通信都是以由复位脉冲组成的初始化序列开始的。该初始化序列由主机发出，后跟由DS18B20发出的存在脉冲（presence pulse）。下图阐述了这一点。

file:///C:\Users\houwanyou\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps709D.tmp.jpg

DS18B20发出存在脉冲，以通知主机它在总线上并且准备好操作了。

在初始化时序中，总线上的主机通过拉低单总线至少480μs来发送复位脉冲。然后总线主机释放总线并进入接收模式。总线释放后，4.7kΩ的上拉电阻把单总线上的电平拉回高电平。当DS18B20检测到上升沿后等待15到60us，然后以拉低总线60-240us的方式发出存在脉冲。

如上所述，主机将总线拉低最短480us，之后释放总线。由4.7kΩ上拉电阻将总线恢复到高电平。DS18B20检测到上升沿后等待15到60us，发出存在脉冲：拉低总线60-240us。至此，初始化和存在时序完毕。

    /*延时函数：（由于DS18B20延时均以15us为单位，故编写了延时单位为15us的延时函数，注意：以下延时函数晶振为12MHz）*/
    /*
    ************************************
    函数：Delayxus_DS18B20
    功能：DS18B20延时函数
    参数：t为定时时间长度
    返回：无
    说明： 延时公式：15n+15（近似）,晶振12Mhz
    ******************************************
    */
    void Delayxus_DS18B20(unsigned int t)
    {
          for(t;t>0;t--)
          {
                 _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
          }     
          _nop_(); _nop_();
    }

/*
    ************************************
    函数：RST_DS18B20
    功能：复位DS18B20，读取存在脉冲并返回
    参数：无
    返回：1：复位成功 ；0：复位失败
    说明： 拉低总线至少480us ;可用于检测DS18B20工作是否正常
    ******************************************
    */
    bit RST_DS18B20()
    {            
          bit ret="1";
          DQ=0;/*拉低总线 */
          Delayxus_DS18B20(32);/*为保险起见，延时495us */
          DQ=1;/*释放总线 ，DS18B20检测到上升沿后会发送存在脉冲*/
          Delayxus_DS18B20(4);/*需要等待15~60us，这里延时75us后可以保证接受到的是存在脉冲 */
          ret=DQ;
          Delayxus_DS18B20(14);/*延时495us，让ds18b20释放总线，避免影响到下一        步的操作 */
       DQ=1;/*释放总线 */
          return(~ret);
    }

写时序：

主机在写时隙向DS18B20写入数据，在读时隙从DS18B20读取数据。在单总线上每个时隙只传送一位数据。

有两种写时隙：写“0”时间隙和写“1”时间隙。总线主机使用写“1”时间隙向DS18B20写入逻辑1，使用写“0”时间隙向DS18B20写入逻辑0.所有的写时隙必须有最少60us的持续时间，相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。两种写时隙都通过主机拉低总线产生（见下图）。

file:///C:\Users\houwanyou\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps709E.tmp.jpg

为了产生写1时隙，在拉低总线后主机必须在15μs内释放总线。在总线被释放后，由于4.7kΩ上拉电阻将总线恢复为高电平。为了产生写0时隙，在拉低总线后主机必须继续拉低总线以满足时隙持续时间的要求(至少60μs)。

在主机产生写时隙后，DS18B20会在其后的15到60us的一个时间窗口内采样单总线。在采样的时间窗口内，如果总线为高电平，主机会向DS18B20写入1；如果总线为低电平，主机会向DS18B20写入0。

如上所述，所有的写时隙必须至少有60us的持续时间。相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。所有的写时隙（写0和写1）都由拉低总线产生。

写函数为：
    /*
    ************************************
    函数：WR_Bit
    功能：向DS18B20写一位数据
    参数：i为待写的位
    返回：无
    说明： 总线从高拉到低产生写时序
    ******************************************
    */
    void WR_Bit(bit i)
    {
          DQ=0;//产生写时序
          _nop_();
          _nop_();//总线拉低持续时间要大于1us
          DQ=i;//写数据 ，0和1均可
          Delayxus_DS18B20(3);//延时60us，等待ds18b20采样读取
          DQ=1;//释放总线
    }
    /*

/*
    ***********************************
    函数：WR_Byte
    功能：DS18B20写字节函数，先写最低位
    参数：dat为待写的字节数据
    返回：无
    说明：无
    ******************************************
    */
    void WR_Byte(unsigned char dat)
    {
          unsigned char i="0";
          while(i++<8)
          {
                 WR_Bit(dat&0x01);//从最低位写起
                 dat>>=1; //注意不要写成dat>>1
          }
    }

读时序：

DS18B20只有在主机发出读时隙后才会向主机发送数据。因此，在发出读暂存器命令 [BEh]或读电源命令[B4h]后，主机必须立即产生读时隙以便DS18B20提供所需数据。另外，主机