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冰凌科技STM32F103ZET6开发板用户手册V3.4(非常值得学习)

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ID:334705 发表于 2018-5-21 10:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
用户手册
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STM32系列32位闪存微控制器基于ARM Cortex™-M3内核,受益于Cortex-M3架构的增强型功能及性能改进的代码密度更高的Thumb-2指令集, STM32系列不仅大幅提升了中断响应速度,同时兼具业内最低的功耗。 STM32是一个完整的32位系列产品,同时还具有高集成度和易开发性。
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上图中,CPU周围的电容是滤波电容,容量是100nF,精度为+ -10%。这些电容其实都是CPU的各个VDD 3.3V电压的滤波电容,像卫星一样紧紧围绕在CPU周围,越靠近CPU引脚效果越好。  

7. STM32的FMSC功能介绍
在这里,我们先来了解一下STM32的FMSC(灵活的静态存储器控制器)功能。其实STM32的FMSC相当于51单片机里的总线技术(数据总线、地址总线和控制总线)。 使用FMSC,STM32F103ZET6可以与许多存储器连接,包括SRAM、NOR闪存和NAND闪存等。

FSMC包含2类控制器:  
● 一个NOR闪存/SRAM控制器,可以与NOR闪存、SRAM和PSRAM存储器接口。  
● 一个NAND闪存/PC卡控制器,可以与NAND闪存、 PC卡、 CF卡和CF+存储器接口。   

控制器产生所有驱动这些存储器的信号时序:  
● 16个数据线,用于连接8位或16位存储器  
● 26个地址线,最多可连接64M字节的存储器(译注:这里不包括片选线)  
● 5个独立的片选信号线  
● 一组适合不同类型存储器的控制信号线:  
─ 控制读/写操作  
─ 与存储器通信,提供就绪/繁忙信号和中断信号  
─ 与所用配置的 PC卡接口: PC存储卡、PC I/O卡和真正的 IDE接口  
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8. 与 16位的SRAM接口
STM32F103ZET6开发板提供1片256K X 16的SRAM芯片:IS61LV25616,同时开发板的硬件兼容IS61LV51216。连接到FSMC的存储块3。
芯片使能脚连接到PG10,即FSMC_NE3,即连接到  FSMC BANK 1的片选3信号上,所以对应的基地址是:0x68000000。
开发板上的IS61LV25616同时支持8bit和16bit访问模式。

FSMC配置如下:  
●  选用存储块3:BCR3_MBKEN设置为’1’。  
●  存储器类型为SRAM:BCR3_MTYP设置为’00’,选择SRAM类型。  
●  数据总线为16位:BCR3_MWID设置为’01’,选择16位宽。  
●  存储器为非总线复用:清除BCR3_MUXEN为’0’。  
保持其它的所有参数为清除状态。
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9. 与 8 位的NAND FLASH闪存存储器接口
STM32F103ZET6开发板提供1片128M字节的NAND Flash,型号为:K9F1G08U0B。
芯片使能脚连接到PD7,即FSMC_NE1,NAND的READ/BUSY信号连接到FSMC_INT2
引脚。FSMC的NAND闪存控制器通过存储块2和存储块3操作NAND存储器。
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实际上,这3个段的划分反映了真实的NAND闪存存储器的结构。写入命令段的任何
地址,结果都是向NAND闪存写入命令。写入地址段的任何地址,结果都是向NAND闪存
写入读写操作的地址;根据所用NAND闪存的构造,通常需要4~5个写入地址段才能写入
一个读写操作的地址。写入或读出数据段的任何地址,结果都是写入或读出NAND的内部
单元,该单元的地址是之前在地址段写入的那个地址。

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操作NAND闪存存储器,需要使用特别的访问协议,所有的读写操作,需要有下述步
骤:  
1.  向NAND闪存存储器发送一个命令  
2.  发送读或写的地址  
3.  读出或写入数据  
为了使用户可以方便地操作NAND闪存,FSMC的NAND存储块被划分为3个段:数据
段、地址段和命令段。


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ID:747510 发表于 2024-1-9 14:58 | 显示全部楼层
来迟了~~
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