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STC12C5A60S2单片机P3.0 P3.1需要上拉电阻吗?

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楼主
ID:509239 发表于 2019-4-21 04:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如题
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沙发
ID:459027 发表于 2019-4-22 22:47 | 只看该作者
STC12C5A60S2单片机IO口工作模式设定
  STC12C5A60S2 系列单片机其所有I/O口均可由软件配置成4种工作类型之一。4种类型分别为:准双向口(标准8051 输出模式)、推挽输出、仅为输入(高阻)或开漏输出功能。
P0口:P0口为一个8位漏级开路双向I/O口,每个管脚可吸收8TTL门电流。当P1口的管脚写“1”时,被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据/地址的第八位。在FLASH编程时,P0口作为原码输入口,当FLASH进行校验时,P0输出原码,此时P0外部电位必须被拉高;
P1口:P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入“1”后,电位被内部上拉为高,可用作输入,P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时,P1口作为第八位地址接收;
P2口:P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2口缓冲器可接收,输出4个TTL门电流,当P2口被写“1”时,其管脚电位被内部上拉电阻拉高,且作为输入。作为输入时,P2口的管脚电位被外部拉低,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时,P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时,它利用内部上拉的优势,当对外部八位地址数据存储器进行读写时,P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号;
P3口:P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。作为输入时,由于外部下拉为低电平,P3口将输出电流(ILL),也是由于上拉的缘故。P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口:
P3.0 RXD(串行输入口)
P3.1 TXD(串行输出口)
P3.2 INT0(外部中断0)
P3.3 INT1(外部中断1)
P3.4 T0(记时器0外部输入)
P3.5 T1(记时器1外部输入)
     每个口由2个控制寄存器中的相应位控制每个引脚工作类型。
     STC12C5A60S2系列单片机上电复位后为准双向口(传统8051的I/O口)模式。2V以上时为高电平,0.8V以下时为低电平。
I/O口工作类型设定
PxM1[7:0]  PxM0[7:0]    I/O 口模式
    0             0          准双向口 (传统 8051I/O口模式 ),灌电流可达20mA, 拉电流为230uA
    0             1          推挽输出 (强上拉输出, 可达20mA, 要加限流电阻)
    1             0          仅为输入 (高阻)
    1             1          开漏 (Open Dra in), 内部上拉电阻断开, 要外加
注意:
  虽然每个I/O口在弱上拉时都能承受20mA的灌电流(还是要加限流电阻,如 1K,560Ω等),在强推挽输出时都能输出20mA的拉电流(也要加限流电阻),但整个芯片的工作电流推荐不要超过55mA。即从MCU-VCC流入的电流不超过55mA,从MCU-GND流出电流不超过55mA,整体流入/流出电流都不能超过55mA.

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ID:110606 发表于 2019-4-23 15:22 | 只看该作者
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