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25N120-ASEMI(MOS管)大功率场效应管​

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编辑:LL
ASEMI品牌 25N120 MOS场效应晶体管 插件封装 MOSFET
型号:25N120
封装:TO-247/3P
漏极电流(VDS):25A
漏源电压(ID):1200V
工作温度:-55℃~150℃
种类:场效应晶体管/MOSFET
品牌:ASEMI
市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。


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