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等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作

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楼主
ID:864797 发表于 2021-1-14 10:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
同刻蚀一样,干法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中.并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态,因而将光刻跤成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化(ashlng〕用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中,等离子体由微波,射频和UV臭氧源共同作用产生。

半导体系列之十步图形化工艺流程(1月14).docx

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