MOS管H桥电机驱动电路的问题,电机下端的MOS管发热量很大?

ID:601478 · 发表于 2021-8-20 16:34

用H桥做直流电机正反转，发现处于电机下端的MOS管发热功率比处于电机上端的MOS要大很多，按单一方向串联电路来看，一条支路上的电流处处相等才对，测Vgs电压MOS管完全导通，但实际却是两个管的发热功率不一样，期待大佬们的回复

ID:752974 · 发表于 2021-8-21 08:37

一般的H桥下端是NMOS，发热主要是NMOS没有完全导通，就是偏压低，这个电压应该在10~12V.

ID:517951 · 发表于 2021-8-21 09:33

MOS发热量大，温度高，要么是MOS导通电阻大，要么是没有完全控制导通，现在SOT-32封装的MOS管的导通电流都能做到几安，所以要查查控制电路是否给足了MOS管栅极电压。

ID:491875 · 发表于 2021-8-21 19:20

有可能存在部分与上MOS管直接导通情况导致部分时间段出现短路

ID:961670 · 发表于 2021-8-21 23:19

本帖最后由电子初哥于 2021-8-21 23:30 编辑

1，电机功率是多少？估计是 MOS管的Ids电流不够。

ID:961670 · 发表于 2021-8-21 23:27

主要查以下3点：
1，电机功率是多少？
2，MOS管最大导通电流是多少？
3，MOS管GS电压是多少？
通常实际Vgs电压小于完全导通的Vgs电压，MOS管是不会发烫的。最有可能的是MOS管完全导通，而 Ids 的最大承受电流小于电机工作电流。

ID:961711 · 发表于 2021-8-22 09:06

首先对题主所讲“测Vgs电压MOS管完全导通”保持谨慎的怀疑。这里可以用示波器观察一下Vgs触发瞬间的波形，看导通后是否有电压跌落。如确认完全导通，唯一可能是此NMOS导通电阻较大。因为同样封装的管子，散热情况基本相同的。

ID:420836 · 发表于 2021-8-22 09:33

检查 MOSFET 是否真正处于饱和模式，此时导通电阻最小。

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