STC8芯片的EEPROM只能写入读取擦除重写擦除一正片扇区有没有写好的函数用

ID:1100640 · 发表于 2023-11-21 14:58

STC8芯片的EEPROM只能写入读取擦除重写擦除一正片扇区有没有写好的函数用（先写到另一扇区再擦除原先扇区再把要修改的修改完再写回原来的扇区再把另一扇区擦除）

ID:50694 · 发表于 2023-11-21 16:28

这种操作不科学，一是会缩短FLASH寿命，二是增加了整个操作的时长，三是数据会有一定的风险。

ID:744809 · 发表于 2023-11-21 16:41

电控mmbd 发表于 2023-11-21 16:28
这种操作不科学，一是会缩短FLASH寿命，二是增加了整个操作的时长，三是数据会有一定的风险。

确实，没必要这么搞。如果要存的数据比较短，就几十字节的话，可以循环存在一块空间里面，上电找最后存的记录就可以，存满了再擦除，写条新的记录就

ID:69038 · 发表于 2023-11-21 17:06

官方说能写10W次。一天10次，能写1W天，近30年。够了吗？

ID:965189 · 发表于 2023-11-21 20:08

这样搞三角恋不好吧。

ID:213173 · 发表于 2023-11-21 21:34

将某扇区数据读到缓存，修改相关数据后，擦除原扇区，再将修改后的数据写入原扇区。

ID:1100640 · 发表于 2023-11-22 10:52

wulin 发表于 2023-11-21 21:34
将某扇区数据读到缓存，修改相关数据后，擦除原扇区，再将修改后的数据写入原扇区。

缓存不够用了。。

ID:1100640 · 发表于 2023-11-22 10:55

123156fsadf 发表于 2023-11-21 16:41
确实，没必要这么搞。如果要存的数据比较短，就几十字节的话，可以循环存在一块空间里面，上电找最后存的 ...

我也不确定存多少但好像需要存1k左右字节

ID:57657 · 发表于 2023-11-22 11:20

电控mmbd 发表于 2023-11-21 16:28
这种操作不科学，一是会缩短FLASH寿命，二是增加了整个操作的时长，三是数据会有一定的风险。

使用 do{ ... } while();写进去再读出来比较以保证数据正确写入，电压过低不要对EEPROM执行写、擦除可能会失败。

ID:1085085 · 发表于 2023-11-22 14:53

楼主好，可参考他们官方STC-ISP（6.92G）上的范例程序

做以下修改

这个是单字节的写入和扇区的擦除，可以直接一个for把一个扇区的字节都挪到另一个扇区，在擦除这个扇区就好了
如果还有疑问可去他们STCAI官方咨询

ID:712097 · 发表于 2023-11-22 15:29

感觉更麻烦，没有优势。

ID:1100640 · 发表于 2023-12-2 15:36

STC新未来发表于 2023-11-22 14:53
楼主好，可参考他们官方STC-ISP（6.92G）上的范例程序

好谢谢

ID:195496 · 发表于 2023-12-2 22:01

不常改动的可以用，经常修改的数据，还是用片外的存储器吧。

ID:1019324 · 发表于 2023-12-4 14:46

参考以下蓝桥杯的源码，里面有写好的底层函数

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STC8芯片的EEPROM只能写入读取擦除 重写擦除一正片扇区 有没有写好的函数用