关于“#define OLED_W_SCL(x) GPIO_WriteBit（...）使用寄存器写法的疑惑

ID:728915 · 发表于 2024-5-21 23:02

各位大佬好，
基于GD32F103RCT6的模拟IIC，其它代码相同，只改如下 #define OLED_W_SCL(x)       ；#define OLED_W_SDA(x) 语句：
在 ”库函数“ 前提下，使用如下宏定义，功能正常运行；
#define OLED_W_SCL(x)             GPIO_WriteBit(OLED_SCL_GPIO_Port, OLED_SCL_GPIO_Pin, (BitAction)(x))
#define OLED_W_SDA(x)             GPIO_WriteBit(OLED_SDA_GPIO_Port, OLED_SDA_GPIO_Pin, (BitAction)(x))
（
其它相关：

//SDA:PA6
#define OLED_SDA_GPIO_Port       GPIOA
#define OLED_SDA_GPIO_Pin       GPIO_Pin_6
#define OLED_SDA_RCC                      RCC_APB2Periph_GPIOA
//SCL:PA7
#define OLED_SCL_GPIO_Port       GPIOA
#define OLED_SCL_GPIO_Pin          GPIO_Pin_7
#define OLED_SCL_RCC                      RCC_APB2Periph_GPIOA
）

后面我想基于 ”寄存器“ 来替换掉这2句话；而在单次GPIO输出高低电平，使用示波器测电平是对的，然后连续跑就出问题了，改回去又好了：
#define OLED_W_SDA(x)             PAout(6) = x
#define OLED_W_SCL(x)             PAout(7) = x
（IO口操作，部分宏定义如下：
#define BITBAND(addr, bitnum) ((addr & 0xF0000000)+0x2000000+((addr &0xFFFFF)<<5)+(bitnum<<2))
#define MEM_ADDR(addr)  *((volatile unsigned long  *)(addr))
#define BIT_ADDR(addr, bitnum) MEM_ADDR(BITBAND(addr, bitnum))

#define GPIOA_ODR_Addr (GPIOA_BASE+12) //0x4001080C

#define GPIOA_IDR_Addr (GPIOA_BASE+8) //0x40010808

#define PAout(n) BIT_ADDR(GPIOA_ODR_Addr,n)  //输出
#define PAin(n) BIT_ADDR(GPIOA_IDR_Addr,n)  //输入
）

请教大佬们，这2种写法：
区别是什么；是不是有啥条件；怎样才能在这里，基于寄存器代替基于库函数？