菜论QR

ID:1100060 · 发表于 2024-9-28 07:54

对于准谐振的定义，我还是琢磨不透，
只知道，ZVS是属于开关谐振，而QR则可视之为失败的ZVS。

ID:1100060 · 发表于 2024-9-28 08:13

这电路的开关管(Tr)是MOSFET，
跟Tr并联的电容(Cᴅs)，既可以是实体元件，也可代表Tr的寄生电容，
源极电阻(Rs)，既是Tr的限流元件，也是执行电流模式所需的检流元件。

ID:1100060 · 发表于 2024-9-28 08:49

想要在直流环境中震荡，电感(或变压器)只能以DCM模式使用，
电感，是软开关的核心部件，你不DCM的话，无功何以往复运动，Cᴅs何以清空呢对不？！
这「谷底」，到底是什么回事呢，原来是管子开通的「时机」，Vᴅ愈小，管子的开通损耗当然也就愈小，
如果是硬开关，管子刚一关断，Vᴅ就飈升至Vʙᴜs甚至更高 (别忘了电感的那个「水锤」效应啊)，而开通时Vᴅ就只能是Vʙᴜs了，
软开关，合格的软开关，不是ZVS就是ZCS，ZVS比较直观，好理解，因为，Vᴅ是直接被外力钳制的，清清楚楚，成功的ZVS，能使Vᴅ跌至零，
而QR跟ZVS，实际上是一路货色，只是，「谷底」不着地，这ZVS就失败了，Tr刚关断时，电感贮能最多，「谷底」自然最低 (别忘了，这是衰减震荡)，所以，Tr若于第一谷开通，管耗(开通损耗)最小，
这是开关电源，不是震荡器，谐振槽路的Q值不会 (也不宜) 太高，所以，这衰减震荡也不会 (亦不应) 太久，能做到ZVS的只有第一谷，愈往后就渐渐变回硬开关了。

ID:344848 · 发表于 2024-9-29 00:40

同单片机学习一样，按照厂家提供的数据手册中提供的经典案例做一款同样的电路，使用示波器观察其波形。

ID:1100060 · 发表于 2024-9-29 09:44

donglw 发表于 2024-9-29 00:40
同单片机学习一样，按照厂家提供的数据手册中提供的经典案例做一款同样的电路，使用示波器观察其波形。

见过网上发布的那些反激电路，不论QR与否，绝大多数都是不配备Rs的，boost电路如果不拿它做APFC，也是多数不加Rs，
而让我感兴趣的，正正就是Rs在反激或boost拓扑中的潜在影响，在Cᴅs被清空的过程中，会透过Rs把源极下拉，从而令Tr提早开通，甚至引发类似正反馈的效应 (如果给Rs並联一个比Cᴅs大三数倍的电容，没准真的会自激起来)。

ID:1100060 · 发表于 2024-10-8 00:25

实际上，如果LC槽路的激励者很明显不是正弦波或者不是永远在线，都不合符偕振的定义，都只能视之为准谐振，
看看这个LC震荡器，它是如假包换的模拟电路，但当电路稳步运转后，那Q1不单导通角小于 90° 而且还削峰，这是丙类偏置、「过压」状态，Q1的输出跟LC槽路的固有步调完全不一致，如此工况，反倒还真的跟QR有点像哩。

ID:1100060 · 发表于 2024-10-8 01:11

想玩衰减震荡，有一种方法比书讲的更简单，
电容无需充电，就这样跟电感串联就行，直接上电，是纯直流恒压源，
一通猛烈的衰减震荡过后，一切归于平静，电容里贮有跟电源电压相等的静电势能，LC槽路，如常的接收无线电波，如常跟它的「本命」频率谐振，
还有，把电感或电容 (请注意，是或) 拆分成多个串联的，则这串联槽路的谐振点会有〖n!+1〗那么多个，此乃自然规律允许，否则，你那些LLC啊甚么的方案，就不复存在！！
软开关，其实不就是纯直流背景中的衰减震荡的开发利用吗，软开关毕竟不是震荡器，电感和那执行电容的自身Q值都不会 (也不宜) 太高，因此，衰减震荡为时也不会 (亦不应) 太久，所以嘛，QR其实能有多少个「谷底」让你挑呢？！
QR的第几个「谷底」是那啥，就是开关管的最佳开通时机，「谷底」时点，开关管的电压应力最小，不过，随着震荡的衰减，开关管的工况就渐渐回退到硬开关模式，所以，开通愈晚，开通损耗愈大，
管子刚关断时，电感贮能充沛，执行电容的清空也愈彻底，所以，开关最软者自然非第一「谷」莫属，如果执行电容完全清空，就成了ZVS，不过，跟那QR不同，ZVS的设计是要求必须一举成功，根本完全不会有「第几谷」这概念。

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