ARM9 学习笔记

ID:60076 · 发表于 2014-4-21 16:08

我使用的开发板是TQ2440，芯片S3C2440
2012年12月23日22:36:43
这几天对ARM有关地址方面疑惑很不少，随着不停地搜索资料和看视频教程，总算有点思路，现整理如下，若路过人看到有错误之处，欢迎提出修正，本人感激不尽。
1.用DNW烧写裸机程序时，DNW软件上的download address是指下载到内存上某处位置（我认为是SDRAM，具体还得看u-boot即bootloader的源代码，我目前还没研究到那）的地址，下载到那里后，由u-boot里的另外一个命令（nand write）将这些下载过来的数据拷贝到这些数据“应该”处于的位置，如下载运行在nand flash的u-root，会被拷贝到nand flash的0地址处。
2.u-boot中的mtd命令可以查看由u-boot为了方便烧写数据而在nand flash上划分的分区
3. J-Link不能烧写nand flash。
4.在ARM9里面，访问SDRAM的地址，是由SDRAM的容量大小和地址线的接法决定的，具体在ARM9的官方数据手册上有表格描述。
接128M的SDRAM的话，内存的开始地址是0x3000 0000。
5.SDRAM类似内存，因此常在网上的各高手们写的教程资料中被称为内存。使用前需要初始化。
网上有这么一段叙述：
nand flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；
nor flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；
sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。
区别：
nor flash：可以直接执行指令，读取速度较快，写入不太方便，擦除速度较慢。
nand flash：读取速度比nor flash略快，但写入、擦除都较快。但可靠性略低，需要做损耗平衡、数据校验等。
因此：nor适合做程序存储，nand适合做大容量数据存储。二者都可以掉电保存数据/程序。
sdram：掉电后数据不保存，运行时需要动态刷新，但读取速度都比flash快，适合启动后的程序执行。使用前需要初始化。
6.S3C2440A采用的是ARM920T的核心。
7.SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。
8.在编程软件中，常提到RO，RW的设置。RO是指read only ，一般设置为Flash起始地址，对于ARM，都是0x0的。RW是read and write，指RAM地址，一般设置为内部SRAM起始地址，默认跟在RO后面

2012年12月26日18:28:14
困扰了两天，想用keil arm 来开发和调试ARM裸机程序，但总是下载不了，调试有时也不行，原来还有一个问题我没理解。
就是需要设置一个的正确烧写nor flash。但是不是选择里面原有的S3C2440 Nand flash SP，这个错误我一直没发现。。。而是选择与TQ2440开发板使用的nor Flash相近的算法，不过这个算法说是不能擦除。不过没关系，可以用JFlash ARM来擦除。
是这两篇文档解救了我，也使我更加了解ARM。哈哈！谢谢两位作者。我现在可以调试和烧写裸奔程序了。~~~高兴！
http://www.docin.com/p-307947458.html
http://wenku.baidu.com/view/854e ... ?from=rec&pos=3

不过也反映了一个问题，自学就是这么碰运气，找到相关资料，再经过自己整理思考才能解决自己遇到的问题，如果是有老师带的话，或许可以立即解开，但是不够自己去找资料了解得多，虽然很困难，因为ARM还处于比较领先的科技前沿，相关文档不如51、ARM多，但会用搜索引擎的关键字的话，对我来说成功解决问题的几率还是比较大的

ID:63747 · 发表于 2014-7-18 17:37

谢谢分享

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