*ESP8266 电压电流需求?
ESP8266 的数字部分的电压范围是 1.8V ~ 3.3V,模拟部分的工作电压是 3.0V ~ 3.6V,最低 2.7V。
模拟电源峰值 350 mA,数字电源峰值 200 mA。
注意:选择的 SPI Flash 工作电压也需要与 GPIO 的电压匹配。CHIP_EN 还是工作在 3.0 - 3.6V,使用1.8V GPIO 控制时需要注意电平转换。
*设计 ESP8266 的供电时,需要注意哪些问题?
请注意如下几点:1.如果是使用 LDO 变压,请确保输入电压和输出电压要足够大。2.电源轨去耦电容器必须接近 ESP8266 摆放,等效电阻要足够低。3.ESP8266 不能直连 5V 电压。4.如果是通过 DC-DC 给 ESP8266 供电,必要时要加上 LC 滤波电路。
*ESP8266 上电时电流很大,是什么原因?
ESP8266 的 RF 和数字电路具有极高的集成度。上电后,RF 自校准会需要大电流。模拟部分电路最大的极限电路可能达到 500 mA;数字电路部分最大电流 达到 200 mA。一般的操作,平均电流在 100 mA 左右。因此,ESP8266 需要供电能达到 500 mA,能够保证不会有瞬间压降。
*可以使用锂电池或者 2 节 AA 纽扣电池直接给 ESP8266 供电吗?
2 节 AA 纽扣电池可以给 ESP8266 供电。锂电池放电时压降比较大,不适合直接给 ESP8266 供电。ESP8266 的 RF 电路会受温度及电压浮动影响。不推荐不加任何校准的电源直接给 ESP8266 供电。推荐使用 DC-DC 或者 LDO 给 ESP8266 供电。
*ESP8266 的 RAM 的使用结构是怎么的?
ESP8266 的 RAM 总共 160 KB。
IRAM 空间为 64 KB: 前 32 KB 用作 IRAM,用来存放没有加 ICACHE_FLASH_ATTR 的代码,即 .text 段,会通过 ROM code 或二级 boot 从 SPI Flash 中的 BIN 中加载到 IRAM。 后 32 KB 被映射作为 iCache,放在 SPI Flash 中的,加了 ICACHE_FLASH_ATTR 的代码会被从 SPI Flash 自动动态加载到 iCache。
DRAM 空间为 96 KB: 对于 Non-OS_SDK,前 80 KB 用来存放 .data/.bss/.rodata/heap,heap 区的大小取决于 .data/.bss/.rodata 的大小;还有 16 KB 给 ROM code 使用。 对于 RTOS_SDK,96 KB 用来存放 .data/.bss/.rodata/heap,heap 区的大小取决于 .data/.bss/.rodata 的大小。