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一、电流太大,超过场效应管功耗。二、导通不充分,场效应管不是工作在开关状态。没看到U1的正确接地。 |
从提供的电路看,电路本身没有问题,问题可能出在NET1所接负载电路。另外,R3取值1K只能提供不到7ma的工作电流给单片机,不知是否足够。如果不足可以考虑适当降低R3的取值 |
lkc8210 发表于 2024-6-4 10:05 这种浮地的驱动方式,建议采用光耦做隔离。 |
你说Q1是发热烧掉的,考虑是不是电流太大,实际测一下电流,或者多并两个mos,电流值一定不要超过mos最大额定电流 |
lkc8210 发表于 2024-6-4 07:42 那是必须的 |
1109 发表于 2024-6-4 09:05 会影响PMOS吗? 单片机的Vcc, Gnd压差被D3稳压在5.1V |
你要给单片机一个“稳定的GND”,目前的GND是浮动的。 |
donglw 发表于 2024-6-4 00:38 没有散热器,要加的吗? |
提供选择PMOS管散热器的具体信息,才能了解烧掉的原因。 |