SP6648HF+SP6538做18W同步整流高效率PD充电器方案

ID:850074 · 发表于 2020-12-19 13:54

SP6648HF是一颗电流模式PWM控制芯片，内置 650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案。
SP6648HF在 PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。

SP6648HF在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。

SP6648HF采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。SP6648HF内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP）， VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。特点：全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW ，内置650V 高压功率管，4ms软启动用来减少MOSFET 上Vds的应力，抖频功能，改善EMI性能，跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗，无噪声工作，固定65KHz开关频率，内置同步斜坡补偿，低启动电流，低工作电流，内置前沿消隐(LEB)功能，过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）， VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位，过温保护（OTP），SOP8 无铅封装。

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