三极管和MOS驱动时间需要多少?谢谢大家

ID:668004 · 发表于 2022-6-2 19:23

是否有时间要求？不过50us以内都是可以驱动的吧？难道要几百us到ms级别？比如三极管SS8050 8550 MMBT5551 5401 等等MOS管 AO3400 2300 7002 等等

ID:94031 · 发表于 2022-6-2 20:29

三极管和MOS管都有频率参数，电路对频率有要求时可以参考。

ID:230742 · 发表于 2022-6-2 23:01

9012一般都能达到150Mhz ,比微秒可快多了。具体还是看看手册吧。
设计电路，还要考虑EMI，比如电源电路，要选择一个合适的频率。不用太高，也不能太低。

ID:883242 · 发表于 2022-6-2 23:53

xuyaqi 发表于 2022-6-2 20:29
三极管和MOS管都有频率参数，电路对频率有要求时可以参考。

楼主要的是截止和饱和状态转换时间，那么BJT的频率参数是没有意义的。

哪个MOSFET有频率参数，贴出来让我也乐一乐。

ID:491577 · 发表于 2022-6-3 01:20

MOS频率与电流有关，小电流1MHZ可以做到，大电流一般几十K，三极管的频率可以高一点。

ID:1007932 · 发表于 2022-6-3 10:01

看数据表，有开通延时，至少要大于这个时间。
三极管的Ft是放大状态的，而不是开关状态。
现在的器件频率都挺高的，小管几MHz到上百MHz,功率管也有几MHz，只有模块不到1MHz。
重点是数据表，每个型号差距都挺大的，侧重点也不一样，有的是频率，有的是功率，有的是噪声。

ID:965189 · 发表于 2022-6-3 10:58

MOS管有结电容泄放时间，具体要看手册。

ID:668004 · 发表于 2022-6-6 10:33

hhh402 发表于 2022-6-3 01:20
MOS频率与电流有关，小电流1MHZ可以做到，大电流一般几十K，三极管的频率可以高一点。

负载电流还是驱动电流

ID:491577 · 发表于 2022-6-6 12:17

QWE4562012 发表于 2022-6-6 10:33
负载电流还是驱动电流

负载电流。AO3400可以做到500nS。

ID:668004 · 发表于 2022-6-6 16:15

hhh402 发表于 2022-6-6 12:17
负载电流。AO3400可以做到500nS。

驱动速度和负载电流有什么关系

ID:624769 · 发表于 2022-6-6 17:31

基本都可以在 1us 以下， 8050，9012 这些实测基极电阻1K, 0.1us 的通断切换可以长期稳定完成，

ID:491577 · 发表于 2022-6-7 10:47

QWE4562012 发表于 2022-6-6 16:15
驱动速度和负载电流有什么关系

实际上是与MOS管的等效电容有关系，电流越大、功率越高的MOS管等效电容越大，所以开关时间就越长。看看开关电源就明白了，功率小的可以做到1MHz，功率大的能够做到100KHz就不错了。

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