在接晶振(11.9)时没有30pf左右的电容，可以用0.22uf代替？

ID:634875 · 发表于 2019-11-7 00:31

如题

ID:491875 · 发表于 2019-11-7 07:27

肯定不行！

ID:235200 · 发表于 2019-11-7 07:46

一般情况下是可以的,33pF的也可以,电容是辅助晶振起振的,只要晶振起振了都可以

ID:10193 · 发表于 2019-11-7 07:47

晶振两端的等效电容与晶振标称的负载电容存在差异时，晶振输出的谐振频率将与标称工作的工作频率产生一定偏差（又称之为频偏），所以合理匹配合适的外加电容使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容显得十分重要。一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高

ID:275826 · 发表于 2019-11-7 08:03

不能代替哟

ID:584814 · 发表于 2019-11-7 08:06

30pf左右是指上下偏差不大，.22这个偏差是多少算过么 ?
再好理论不过实践，你试一下就知道了，万一真的也好用呢

ID:285863 · 发表于 2019-11-7 08:07

可以主要看mcu的要求了

ID:342822 · 发表于 2019-11-7 08:29

没有就不用

ID:25310 · 发表于 2019-11-7 08:29

0.22 是 22000P 啊兄dai

ID:277550 · 发表于 2019-11-7 09:03

15p~33p
这个范围

ID:7485 · 发表于 2019-11-7 09:20

1uf(微法) =1000nF(纳法) ，1nf(纳法)=1000pF(皮法)，uf和pf差100万倍。

这些基础知识还是必要的。

ID:601639 · 发表于 2019-11-7 09:29

肯定不行啊，差的太多了。

ID:142699 · 发表于 2019-11-7 09:57

太大了,mcu跑步起来的.你用pf级别的代替可能可以.

ID:511501 · 发表于 2019-11-7 10:01

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

ID:66761 · 发表于 2019-11-7 16:30

不建议这样使用，可能会出现不起振或者频偏等不可控现象

ID:123289 · 发表于 2019-11-8 11:27

楼上一定不知道为什么要接30p的电容，先去网搜一下。

ID:560467 · 发表于 2019-11-8 12:18

不行，你这个太大了肯定用不了的，不行你换芯片啊stc15的可以直接使用内部晶振，精准度还可以的

ID:524818 · 发表于 2019-11-8 12:54

差距有点太大了吧

ID:516863 · 发表于 2019-11-8 12:56

没有电子技术基础，请不要碰硬件！

ID:307020 · 发表于 2019-11-11 14:10

一般是几p到几十p的电容，加的一侧会有些延时，不加也行，实际上使用电路的分布电容，DS1302 DataSheet推荐电路中晶振两侧各加7p负载电容，但实际实收模块上，商家为降低成本略去了，因而偏快，如果对时序要求不严也无所谓了。

ID:525068 · 发表于 2019-11-11 16:15

我们通常用得是20~33PF

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