SDH8594AS内置高压MOS管高精度原边控制开关电源芯片是离线式开关电源集成电路，是外置线损补偿和内置峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的，骊微电子的SDH8594AS集成多种保护,有效减少额外的器件数量和尺寸。
1. 电路启动和欠压锁定：系统上电，电路由内置耗尽型MOS管对vCC管脚外置的电容充电。当VCC上升到18V,电路开始工作,关断耗尽型MOs:在电路正常工作过程中,由辅助线圈供电来维持VCC电压;当VCC下降到85V进入欠压锁定状态,耗尽型MOS管打开,对VCC电容供电,VCC上升到18V,电路启动重新工作。
2、峰值电流检测和LEB：当驱动为高电平，MOS管导通,通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流,当达到设定的电流限制值即峰值电流,MOS管关断。
3、CV控制方式：当MOS管关断,反馈电压为正,在FB为正的2/3~1/2时间点进行采样,采样得到的电压经过与恒压阈值Vc的比较、放大,产生恒压环路的关断时间ToF,从而实现输出的恒压。在轻载或者中载的时候,恒压环路产生不同的峰值电流。
4. CC控制方式：通过电路对FB为正、为负或准谐振的时间进行计算,FB为正的时间为ToF1表示变压器的次级线圈有电流,FB为负的时间为TN,FB衰减振荡的时间为ToFF2,在这两个时间内变压器的次级线圈没有电流。
5. 峰值电流补偿：由关断延迟时间导致实际检测到的峰值电流值,随着输λ交流电压的増大而増大,而峰值电流值直接反映输岀电流因此造成输出电流随输入交流电压的线性调整率会比较差。sDH8594AS利用导通时间来控制峰值电流,使不同输入电压下的峰值电流基本保持不变,改善输出电流的调整率。
6. 线损补偿：在实际的应用设计中,输岀电压在电缆线上会有不同程度的压降ⅤAB。在不同的电流情况下,输岀端的整流二极管压降VD也会发生改变,需要综合考虑，SDH8594AS通过内部一个电流源来产生带有失调的反馈电压VFB。内部电流源的大小与输出电流大小成比例关系。当负载电流从满载到空载的时候，ⅤFB的失调电压増加,增加量可以通过反馈电阻R1和R2调节。
7. 各种保护措施：芯片内部集成多个保护功能,包括过温保护、FB过压保护、VcC过压保护、输岀短路保护、限流保护、最大导通时间保护等功能,全部都是芯片自动恢复(除了限流保护),即检测到异常状态后,芯片关断输出,VCC电压开始下降到欠压点,关断内部全部模块,通过耗尽型MOS对∨CC端电容进行充电,重复一个芯片启动的过程。
8.PFM调制频率的设定：骊微电子的SDH8594AS在PFM调制频率范围由导通时间TN和恒压环路控制关断时间T。F所决定。因此当关断时间最长T。FFma时,系统处于最小限制频率状态,工作频率最低;当关断时间最短 ToFFmink时,系统处于最高频工作状态,工作频率达到最高。
