PMOS管导通问题

ID:709761 · 发表于 2022-8-31 15:42

如图，PMOS导通时，后面大电容充电，电流大，对PMOS和对输入电源，不好。
如果在MOS的GS之间并联电容，让MOS缓慢导通，是在Q777还是Q10的并联电容？并多大的电容？这样的话，会不会增加MOS的开通和关断损耗。

ID:382454 · 发表于 2022-8-31 16:08

2000uf不蒜太大，你前面并了电容，导通时一样发热的。还不如不加，因为导通时MOS的内阻才几毫欧。

ID:752974 · 发表于 2022-8-31 16:21

mos管在没有完全导通的情况下，导通电阻值很大，在大电流下要发热的。应该在24V主回路想办法，如串适当限流电阻，在适当时机用继电器短掉，如果主MOS管不怕热，就随意了。

ID:123289 · 发表于 2022-8-31 17:35

用程序在IO2上做文章。

ID:1034948 · 发表于 2022-9-1 08:16

你这个C5大电容放在前面就不会有这个问题了，滤波效果一样的呀。

ID:57414 · 发表于 2022-9-1 08:25

可以这么做，我们以前做主板都是用这种电路。
我记得这个电容当时加的好像有10nF那么大。

ID:1039555 · 发表于 2022-9-1 10:20

Q10的GS电容不止会增大开关损耗，对开关的速度也影响很大，100k的下拉电容大了关不死都有可能。

ID:1039555 · 发表于 2022-9-1 10:43

Q10的GS电容不但会增大开关损耗，对开关速度也影响很大，100k下拉电容大了关不死都有可能，串0Ω电阻不合适，可能会导致自激，R22与R19分压得4.5v即可2.5v也行，R13的存在，DS之间并没有多大电流，Q10不用去考虑导通内阻。Q777的GS电容，由于R13的存在此电容并没有什么用，要去掉，会有副作用。当Q777导通那一瞬间，R11与R12分压得S＞G12v，它已经是完全导通，内阻很小。给C5充电的涌电流 mos是可以承受的，它不能承受的是电压，电压高了就是瞬间击穿。实在不放心你可以在D极和C5之间串个电阻，计算负载功率之后决定这个电阻大小，总的一句话，场效应管的GS之间打死不要去并电容。

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