供电正常时MOS内部并联二极管提供启动电流,MOS压降0.7-1V较高,紧接着IC工作VCP自举升压。VCP与+BAT之间产生12V电压 ,通过RP1,加在MOS管GS上,驱动MOS完全导通。MOS压降极低,压降可忽略。
无二极管电源电压经RP1加在三极管发射极。 三极管Vbe反向最多只有8-9V,电源电压超8V 三极管就会击穿损坏。
当供电接反时,MOS管S脚对地是负电位。MOS内部并联二极管不导通 。电流从地到电阻 RP2到三极管Be到二极管Drp到+BAT,形成放大开关电路三极管CE导通,短接MOS的GS。 IC已有反接保护二极管。VCP可认为时浮动状态或高阻接地。驱动无效。从而保护后级
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