51单片机个人学习笔记及经验（IO口结构及上拉下拉电阻）-连载7

ID:403543 · 发表于 2018-10-4 19:30

日常更新7！

单片机IO口的结构：

这里为了严谨，T1、T2是MOS管而非三极管，但功能和用法与三极管完全一样：T1为PNP型，T2为NPN型。三极管与MOS管的不同之处在于三极管靠电流导通，而MOS管靠电压导通。

准双向IO：

内部输出1经反向后为0，不导通，IO与上拉电阻相连，为高电平。

内部输出0经反向后为1，单通。IO导通到GND，为低电平。

开漏输出：

比如单片机的P0口，没有内部的上拉电阻，这时候要想正常的使用IO控制，就必须在外部加上拉电阻。如果不接，那么IO将处于不确定状态。

强推挽输出：

上拉电阻很小，或者直接没有上拉电阻，有着很强的输出输入电流的能力。

内部输出1，经反向为0，T1导通，IO为高电平；

内部输出0，经反向为 1，T1不导通，T2导通，接地，IO为低电平。

高阻态：

电平状态虽它后面接的东西而定，一般处于悬空状态，理论上电阻值无穷大。

如何设置IO口的状态：

可通过设置PXM1：PXM0的值：
PXM1：PXM0
0 0 准双向口（传统IO）
0 1 推挽输出（强上拉，电流可达20mA,尽量少用）
1 0 仅为输入（高阻）
1 1 开漏，如传统8051的P0口

例：C语言中直接赋值
P1M0 = 0xC0;
P1M1 = 0xA0;//P1.7开漏，P1.6高阻，P1.5强推挽输出，其他准双向IO口

上下拉电阻：