NMOS管的导通电压测试问题

ID:34693 · 发表于 2020-5-14 13:28

这是一个NMOS管的资料，在测试的VGS(th)的时候，这个VDS的电压应该用多少V的？

测试条件上面只写了：ID=250uA, VDS=VGS，也没标明VDS用多少V电压。

还望各位高手可以指教一下，非常感谢了。

ID:153181 · 发表于 2020-5-15 09:40

首先需要纠正一下，你发的ZXMP4A16G是PMOS; 51hei图片_20200515093858.png

其实是你说的测试电压问题，手册已经给出电压的范围了，不要超出电压范围就可以
51hei图片_20200515093839.png

ID:213173 · 发表于 2020-5-15 10:45

Gate Source Threshold Voltage 栅源阈值电压。图表清楚表明VGS(th) -1.0，ID=250uA, VDS=VGS，VDS当然也是-1.0V。沙发已指出错误，此管是PMOS非NMOS。

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