金属面晶体YSO110TR 升级款贴片有源晶振,性能更优 超小型SMD金属封装、可达工业级温度 1612/2016/2520/3225/5032/7050六种封装尺寸 符合RoHSren证、无铅环保
金属面晶体YSO110TR特点:
频率范围:1~54MHz 频差(25℃):±10PPM,±20PPM,or specify 老化(zui大):±3PPM/年 温度范围:-40~+85℃ 电压:1.8~3.3V 输出方式:CMOS 体积:1612,2016,2520,3225,5032,7050 取代型号:YSO211SR、YSO221SR、YSO321SR、YSO531SR、YSO751SR 应用:WLAN、蓝牙、DSC、DSL等IT产品
金属面晶体YSO110TR电气规格:
输出频率范围:1~54MHz或指定 输出类型:互补金属氧化物半导体 供电电压:1.8V ~ 3.3V 振荡模式:基本 频率公差(25℃):±10ppm、±20ppm,或另行规定 输出负载:15pf,或指定 工作温度范围:-40~+85℃、-40~+125℃,或指定 频率对温度特性:±20ppm、±30ppm、±50ppm或指定 存储温度范围:-55 ~ + 125℃ 电压Vol(zui大)/Vol(zui小):90%Vddzui小/10%Vddzui大 对称:45 ~ 55% 上升(Tr)/下降(Tf)时间:4nsmax。 启动时间:3 msmax。 频率老化(at25℃):±3ppm/yearMax
金属面晶体YSO110TR包装尺寸:
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