编辑：LL ASEMI低压MOS管 A09T/ 3400 30V的N道MOS管 型号：A09T / 3400 封装：SOT-23 漏极电流（VDS）：5.8A 漏源电压（ID）：30V 工作温度：-55℃~150℃ 封装形式：贴片 种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管） 品牌：ASEMI 在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须认定一个是drain另一个是source。
ASEMI低压MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V 型号：A29T / 3402 封装：SOT-23 漏极电流（VDS）：4A 漏源电压（ID）：30V 工作温度：-55℃~150℃ 封装形式：贴片 种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管） 品牌：ASEMI 晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
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