常用的步进驱动芯片,对新手有帮助!
THB6128应用电路图:
一、 特性:
● 双全桥 MOSFET 驱动,低导通电阻 Ron=0.55Ω
● 最高耐压 36VDC,大电流2.2A(峰值)
● 多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128)
● 自动半流锁定功能
● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选
● 内置温度保护及过流保护
THB6128引脚图
五、 使用说明
1、细分设定(M1、M2、M3)
2、衰减模式设定
PDT 为衰减方式控制端,调节此端电压可以选择不同的衰减方式,从而获得更好的驱动效果。
3、电流设定
VREF 电流设定端,调整此端电压即可设定驱动电流值
Io(100%)=VREF*(1/5)*(1/Rs) Rs为 NFA(B)外接检测电阻
(例)VREF=1.5V、Rs 电阻为0.3Ω时,设定电流为:
Iout = (1.5V/5) / 0.3Ω = 1.0A
4、待机功能(Standby)
ST/VCC端子为 Low时,IC 进入待机模式,所有的逻辑被重置,输出为 OFF。ST/VCC 端子为 High 时解除待机模式。
5、CLK 脉冲输入端
6、CW/CCW:电机正反转控制端
CW/CCW为 Low 时,电机正转
CW/CCW为 High 时,电机反转
7、RESTER:上电复位端
RESET 端子为 Low 时,输出为初始模式。励磁位置不再与 CLK、CW/CCW端子关联,而被固定在初始位置。初识位置时,MO 端子输出 L。(Open Drain 连接)
8、ENABLE:使能端
ENABLE 端子为 Low 时,输出强制 OFF,为高阻状态。但是,由于内部逻辑电路仍在动作,如果在 CLK端子输入信号,励磁位置仍在进行。因此,将 ENABLE 重新置为 High 时,根据 CLK输入,遵循进行的励磁位置的 level 输出。
9、DOWN、MO 输出端
输出端子为 Open Drain 连接。各端子在设定状态下 ON,输出 Low Level。
10、斩波频率设定功能
斩波频率由 OSC1 端子端子-GND间连接的电容,依据下面的公式设定。
11、输出短路保护电路
该 IC 为防止对电源或对地短路导致 IC 损坏的情况,内置了短路保护电路,使输出置于待机模式。检测出输出短路状态时,短路检出电路动作,一度输出 OFF。此后,Timer Latch时间(typ:256uS)之后再度输出 ON,如果输出仍然短路的话,将输出固定于待机模式。 由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式的场合,通过使 ST=“L”可以解除锁定。
单片机程序:http://www.51hei.com/bbs/dpj-192620-1.html
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