MICROCHIP关于MOS管驱动的应用笔记，对MOS管驱动电路设计有参考意义
简介
当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存，而且技术进步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺寸， 对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。与任何设计决策一样，在为您设计中的 MOSFET 选择合适的 MOSFET 驱动器时，需要考虑几个变量。需要考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影响着封装的决定和驱动器的选择。
本应用笔记将详细讨论与 MOSFET 栅极电荷和工作频率相关的 MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET所需的导通和截止时间将MOSFET驱动器的电流驱动能力与 MOSFET栅极电荷相匹配。
Microchip 提供许多不同种类的MOSFET驱动器，它们采用不同的封装，因此可以使设计者为应用中的 MOS-FET 选择最合适的MOSFET 驱动器。
MOSFET驱动器的功耗对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压的上升和下降）。因此，MOSFET驱动器的电流驱动能力并不影响由MOS-FET 栅极的容性负载产生的驱动器功耗。
MOSFET 驱动器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。
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