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N76E003为新唐高速1T 8051 单片机系列产品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至105℃工作温度，并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT。 N76E003 在20 pin封装下提供高达18根I/O脚位；周边包含双串口、SPI、I2C、6通道PWM输出；内建优于同类产品之 < 2% 误差之高精确度16 MHz RC晶振与高分辨率8通道12位ADC；并具备自我唤醒、欠压检测等功能；提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 与QFN20 (3mm*3mm) 小封装，兼具高性能与设计弹性。
应用领域 :
门禁系统/警报器、温度传感设备、蓝牙音箱、电动车表头、数字电压表头、气体检测器、采集器、充电器、美容仪器、小家电等。
关键特性 : - 1T 8051微处理器
- 工作频率可达 16 MHz
- 工作电压: 2.4V 至 5.5V
- 工作温度: -40℃ 至 105℃ - 18 KB应用程序 Flash
- 内嵌1 KB SRAM
- 可配置的 Data Flash
- 支持在线系统更新：
- ISP(In-System Programming)
- ICP(In-Circuit Programming)
- IAP(In-Application Programming)
| - 6通道PWM输出
- 带死区产生器
- 12位8通道ADC
- 每秒转换速率可达500 kSPS - 二组UART，可达115200 bps
- 一组SPI，可达8 MHz
- 一组 I2C，可达 400 kHz -内置< 2% 误差16 MHz 高精度RC晶振
-内置低速省电10 kHz RC晶振 |
下面为N76E003与STM8S003参数对照：
| N76E003 | STM8S003F3 | | 内核 | 8051 （1T） | ST自有，哈佛架构，3-stage pipeline | | 工作电压 | 2.4~5.5V | 2.95~5.5V | | 主频 | 16M Hz(1T) | 16M Hz | | APROM Flash(Byte) | 18K | 8K | | SRAM | 1k | 1k | | DATA Flash/EEPROM | 0~18k(与aprom共享) | EEPROM 128Byte | | 时钟源 | 3种，Oscillator,HIRC,LIRC | 3种，Crystal,HIRC,LIRC | 外部高速晶振 | 必须有源时钟源（Oscillator） | 1-16 MHz | 外部低速晶振 |
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| 内部高速时钟 | 16 MHz ±1% @ 25℃
16 MHz ±2% @ -40~105℃ | 16 MHz ±5% @ -40~85℃ | 内部低速时钟 | 10 kHz(±50%) | 128 kHz | | 定时器 | 3*16-bit + 1*16-bit(for PWM) | 2*16-bit, 1*8-bit | | GPIO | 17+1 输入口(复位脚）,最多同时1端口8路IO口中断. | 16，16路硬件IO中断 | | PWM | 6Chs*16bit : 一个16bit的定时器用于频率设置，每个通道都可以单独设置占空比 | 3 CHs | | ADC | 8Ch, 12-bit, 400 ksps, 单个模式, 带隙电压需校准* | 5Ch, 10-bit, 428 kHz/14 clocks，
单个/连续模式 | | 比较器 |
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| | CRC |
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| | UART | 2 Uart | 1Uart 1Mbps, 兼容SC,IrDA,LIN | | SPI | 8 Mbit/s | 8 Mbit/s | | I2C | 400Kbit/s | 400Kbit/s | | 掉电模式电流 | 〈 5 uA | 6 uA | | 唤醒时间 | 30us | 54us | | EFT(电快速瞬变脉冲群) | 4.4KV |
| | ESD(静电释放) | ESD: HBM/8KV, MM/400V | ESD:HBM/4KV,CDM/1KV | | ICE调试接口 | 两线+nReset | 一线 | | 封装 | TSSOP20/QFN20 | TSSOP20/UFQFN20(3*3) |
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