STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源码和文档）。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：
- 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
- 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：
#include "eeprom.h"
#define TITLE_SIZE 80
#define TITLE_KEY 1
#define POINT_KEY 2
typedef struct {
float x;
float y;
float z;
} Point;
char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
Point point;
执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：
uint16_t result = 0;
/* Unlock the Flash Program Erase controller */
FLASH_Unlock();
/* EEPROM Init */
EE_Init();
/* Write to EEPROM */
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
/* Read from EEPROM */
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));
实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：
/**
* EEPROM start address in flash
* As for STM32F103VE (512KB flash), 0x0807F000 is the begining of the last 2 pages.
* Check the *.map file (in listing folder) to find out the used ROM size.
*/
#define EEPROM_START_ADDRESS ((uint32_t)0x0807F000)