找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
查看: 1024|回复: 2
打印 上一主题 下一主题
收起左侧

MOS管的Pd参数是什么?

[复制链接]
跳转到指定楼层
楼主
ID:884998 发表于 2023-5-12 20:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如题,我看很多mos管的封装都是很小的sot23,但是电流id都能达到好几A,Vds能达到2,30V,我就好奇这个pd是指功率吗?如果是这样,Id*Vds不就远超Pd
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友
收藏收藏 分享淘帖 顶 踩
回复

使用道具 举报

沙发
ID:883242 发表于 2023-5-12 23:52 | 只看该作者
power dissipation只跟封装和散热关系最密切,跟Id和Vds关系不大,因为这两个参数不可能同时很大。如果同时很大,那么Pd就很小。
回复

使用道具 举报

板凳
ID:1077024 发表于 2023-5-13 09:33 | 只看该作者
PD 是指:最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.(此参数不可靠).
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

手机版|小黑屋|51黑电子论坛 |51黑电子论坛6群 QQ 管理员QQ:125739409;技术交流QQ群281945664

Powered by 单片机教程网

快速回复 返回顶部 返回列表